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    絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

    IM电竞公司的IGBT產品,涵蓋了平面高魯棒特性系列, 基于溝槽場截止型(Trench Field Stop)技術的高效系列,結合了超薄片工藝制程(Ultra Thin Wafer Process)以及局部壽命控制等技術,顯著改善了動靜態性能折中,大幅提高了器件的功率密度,使器件可耐工作溫度更高,轉換效率更大,使用壽命更長。

    產品選型表
    Part No. Type Grade Mode VCES(Max.) PTOT(Max.) Freewheeling diode IC (A) (@ Tc = 100 °C) max IC (A) (@ Tc = 25 °C) max VCE(sat) (V) typ Qg (nC) typ Eon (mJ) typ Eoff (mJ) typ IF (A) (@ Tc = 100 °C) max IF (A) (@ Tc = 25 °C) max VF (V) typ Irrm(A) typ Qrr (nC) typ Package Reference Application
    Part No. Type Grade Mode VCES(Max.) PTOT(Max.) Freewheeling diode IC (A) (@ Tc = 100 °C) max IC (A) (@ Tc = 25 °C) max VCE(sat) (V) typ Qg (nC) typ Eon (mJ) typ Eoff (mJ) typ IF (A) (@ Tc = 100 °C) max IF (A) (@ Tc = 25 °C) max VF (V) typ Irrm(A) typ Qrr (nC) typ Package Reference Application
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